时间：2025/8/2 0:59:42
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CRTD055N03L 是一款由 Central Semiconductor（中央半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率的功率开关应用。这款 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关性能。其封装形式为 DPAK（TO-252），适合用于表面贴装技术（SMT）的 PCB 设计。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：55A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-252)
CRTD055N03L 具有优异的导通和开关性能，这使其成为高效功率转换应用的理想选择。其导通电阻仅为 5.5mΩ，在 VGS=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的额定漏极电流高达 55A，并能够在高达 30V 的漏极-源极电压下稳定工作，适用于多种中高功率应用。此外，该 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），具备良好的热性能和机械稳定性，适合高密度 PCB 布局。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，提供了更高的设计灵活性。CRTD055N03L 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，确保其在极端温度条件下依然保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。其低寄生电容（如输入电容 Ciss、输出电容 Coss 和反向传输电容 Crss）有助于实现更快的开关速度，从而提升整体系统效率。在热保护方面，该器件具备较高的热阻能力，能够在高负载条件下维持良好的散热性能。这些特性使得 CRTD055N03L 在功率管理、电机控制和电源转换等应用中表现出色。
CRTD055N03L 主要应用于各类高功率和高频开关电路中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件非常适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备以及工业控制系统的电源模块中。此外，该 MOSFET 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统（IVI）。在消费类电子产品中，CRTD055N03L 也广泛用于电源适配器、移动电源以及智能功率插座等设备中。由于其宽广的工作温度范围和高可靠性，该器件在工业自动化、医疗设备和能源管理系统中也有广泛应用。
SiR344DP-T1-GE3, IRF1324S3PBF, SQM1324EL
