时间：2025/8/1 22:13:20
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CRTD045N03L 是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等领域。CRTD045N03L采用先进的沟槽技术，提供更高的电流处理能力和更低的开关损耗，使其在高频率和高功率应用中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：45A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
CRTD045N03L MOSFET的最大漏源电压为30V，适用于中低电压电源管理应用。其最大漏极电流可达45A，能够在高电流条件下稳定工作。该器件的导通电阻仅为4.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，CRTD045N03L采用了先进的沟槽技术，优化了导通电阻和开关损耗之间的平衡，从而在高频应用中表现出色。
CRTD045N03L的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其适用于各种严苛的环境条件。其PowerPAK SO-8封装不仅提供了良好的热管理，还节省了PCB空间，适用于高密度设计。该器件还具有高可靠性，适合在工业和汽车应用中使用。
CRTD045N03L MOSFET广泛应用于多种电源管理领域，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。由于其高效率和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高电流和高频率的电源转换器。此外，CRTD045N03L也常用于服务器和电信设备的电源系统中，以提高整体能效。在汽车应用中，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制系统等场景。
Si444N10LY, IRF44N, FDD4410
