时间：2025/4/29 12:06:57
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CRTD045N03L-12 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换、电机驱动以及负载开关应用。其额定电压为 30V，并且支持较高的连续漏极电流，能够满足大功率应用的需求。
该型号属于 OptiMOS 系列，优化了动态性能和静态性能之间的平衡，从而提高了系统效率并降低了功耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：89nC
总电容：2300pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
CRTD045N03L-12 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗，提高效率。
2. 高雪崩能力，增强了在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保设计。
5. 提供优异的热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
6. 内置反向二极管，支持续流功能。
7. 耐热增强型封装，提升散热性能。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 新能源领域如太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 的功率控制。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
CRTD045N03L, IRF3710, FDP057N06L
