时间：2025/5/12 10:41:01
阅读：19
CRST074N10L2是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件通常应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。CRST074N10L2采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，可显著提升系统效率并降低功耗。
此器件采用TO-252（DPAK）封装形式，适合表面贴装技术（SMT），能够提供良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：13nC
总电容：650pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
CRST074N10L2具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，能有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 良好的热稳定性和电气稳定性，能够在极端环境下正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子设备要求。
6. 小型化封装设计，便于集成到各种紧凑型应用中。
CRST074N10L2广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和转换。
3. 电机驱动控制电路，适用于小型直流电机或步进电机。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS），实现充放电控制与保护功能。
6. 汽车电子领域，如LED驱动、车载充电器等。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5802
