时间：2025/5/9 18:32:53
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CRST055N08N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关性能。这款器件适用于需要高效率和高性能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
该器件采用了 TO-252 封装形式，能够提供出色的散热性能和紧凑的布局设计，适合对空间要求较高的应用场合。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：5.5A
导通电阻：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：4.5nC（典型值）
开关时间：开启延迟时间 10ns，关断延迟时间 16ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
CRST055N08N 提供了卓越的电气性能，包括低导通电阻和高效率的开关能力。其主要特点如下：
1. 极低的 Rds(on) 确保了在大电流条件下的低功耗。
2. 快速的开关速度减少了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高度可靠的封装形式提高了长期使用的稳定性。
4. 宽工作温度范围使其可以在各种恶劣环境下运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和功率转换。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
5. 消费类电子产品的适配器和充电器设计。
IRF540N, AO3400A
