类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：37A
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2.0V至4.0V
　　最大功耗（Pd）：150W
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至175°C

CRST037N10N具有多种优异特性，确保其在高压和高电流应用中的可靠性和性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作。其优异的热性能确保了在高温环境下的可靠性，并延长了器件的使用寿命。CRST037N10N还采用了先进的封装技术，提供了良好的散热能力，同时具备较强的抗短路能力。这些特性使其非常适合用于高功率密度和高效率的电源系统中。
　　在设计上，CRST037N10N优化了栅极结构，降低了开关损耗，从而进一步提高了整体效率。其快速开关特性使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。此外，该器件的高雪崩能量耐受能力增强了其在恶劣工作条件下的耐用性。

CRST037N10N广泛应用于需要高效功率转换和管理的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制器、UPS（不间断电源）、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统和新能源应用中，例如电动汽车的充电系统和太阳能逆变器。

SiHP037N10N, STP37N10, IPP037N10N, IPW037N10N