类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

CRST033N08N的特性包括极低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，使Rds(on)与温度之间的关系更加稳定，从而在高温环境下依然保持优异的性能。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，能够支持高达180A的连续漏极电流，适用于高功率密度的设计。
　　该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的热管理和散热性能，能够有效降低结温，延长器件寿命。同时，TO-263封装便于自动化生产和焊接，适用于表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和可靠性。
　　CRST033N08N还具备较高的栅极稳定性，支持±20V的栅源电压，使其在高电压驱动条件下依然保持良好的工作状态。这种特性在高频开关应用中尤为重要，可以减少栅极振荡，提高系统的稳定性与可靠性。
　　此外，该MOSFET具有较低的开关损耗，适合用于高频开关电路，如同步整流器、DC-DC转换器等。其快速的开关响应时间有助于减少能量损耗，提高整体系统效率。

CRST033N08N广泛应用于多种高功率电子设备中，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业自动化控制系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在服务器电源、通信设备电源、电动汽车充电系统、储能系统等领域也有广泛的应用。
　　在电源管理方面，CRST033N08N可用于构建高效的多相位VRM（电压调节模块），为高性能CPU和GPU提供稳定的电源供应。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流拓扑结构，显著提高转换效率，减少热量产生。
　　在电动汽车领域，该MOSFET可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）中的高压开关，以及电机控制器中的功率开关电路。其优异的热性能和高可靠性使其在严苛的工作环境中依然保持稳定的工作状态。

CSD16412Q5T, SiR336EDN, IRF1405, FDS8873, FET033N08AS