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CRST030N10N 发布时间 时间:2025/5/19 15:38:27 查看 阅读:33

CRST030N10N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于多种开关和功率管理应用,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
  这款 MOSFET 的设计注重效率和性能,在高频应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:420pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CRST030N10N 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 30A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,使得其在高频应用场景中表现优异。
  4. 热稳定性强,能够适应极端的工作温度环境。
  5. 小巧封装(TO-263),便于 PCB 布局与散热设计。
  6. 提供可靠的电气保护,包括过流和短路保护功能。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动控制电路。
  3. 各种负载开关及保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制。
  5. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关产品。
  6. 汽车电子系统的功率管理模块。

替代型号

IRF3205, FDP064N10S, STP30NF10

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