CRST030N10N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件适用于多种开关和功率管理应用,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合用于电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的设计注重效率和性能,在高频应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:29nC
总电容:420pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CRST030N10N 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 30A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,使得其在高频应用场景中表现优异。
4. 热稳定性强,能够适应极端的工作温度环境。
5. 小巧封装(TO-263),便于 PCB 布局与散热设计。
6. 提供可靠的电气保护,包括过流和短路保护功能。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制电路。
3. 各种负载开关及保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关产品。
6. 汽车电子系统的功率管理模块。
IRF3205, FDP064N10S, STP30NF10