时间：2025/5/8 10:57:07
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CRST025N08N是一款基于碳化硅（SiC）材料制造的MOSFET晶体管，该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。它适用于高效率电源转换应用场合，例如电动汽车充电器、太阳能逆变器和工业电机驱动等。此器件采用了TO-247封装形式，有助于提升散热性能。
由于其优异的电气特性和热性能，CRST025N08N在高温、高频和高压环境下表现卓越，为设计者提供了更高的灵活性和系统效率。
额定电压：800V
额定电流：25A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1320pF
最大工作结温：175°C
封装类型：TO-247
CRST025N08N具备以下主要特性：
1. 使用碳化硅材料，提供更低的导通损耗和开关损耗，显著提高功率转换效率。
2. 高达800V的额定电压使其能够应用于各种高压场景。
3. 低导通电阻（Rds(on)）仅6.5毫欧姆，在大电流应用中减少发热并提升整体效率。
4. 快速开关能力使得它可以支持高频操作，从而减小了磁性元件的尺寸和重量。
5. TO-247封装确保良好的散热性能，适合高功率密度设计。
6. 最大工作结温高达175°C，增强了器件的可靠性和环境适应能力。
这些特点使CRST025N08N成为高性能功率转换应用的理想选择。
CRST025N08N适用于多种电力电子应用场景：
1. 工业设备中的高效DC-DC转换器。
2. 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转换为交流电。
3. 电动车充电桩中的功率模块。
4. 高频AC-DC或DC-AC功率变换器。
5. 电机驱动电路，特别是需要高效率和高可靠性的场合。
6. 不间断电源（UPS）和其他需要高功率密度的电源解决方案。
通过利用CRST025N08N的高性能特点，可以实现更紧凑、更高效和更可靠的电力电子系统。
CRST020N08N
CRST025N08L
CSD19565KCS
