类型：N沟道增强型MOSFET
　　材料：碳化硅（SiC）
　　漏源电压 VDS：800V
　　漏极电流 ID：60A
　　栅极电压 VG：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：46mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

CRSS046N08N作为一款碳化硅MOSFET器件，具备多项优越的电气和物理特性。首先，其基于碳化硅材料的半导体结构，使其具有比传统硅基MOSFET更高的热导率和更高的击穿电场强度，从而支持更高的工作温度和更高的电压耐受能力。其次，该器件的导通电阻RDS(on)仅为46毫欧，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，碳化硅材料的宽禁带特性也使其具备更快的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　CRSS046N08N还具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。其栅极驱动电压范围为±20V，支持与多种驱动电路的兼容性，确保了灵活的设计空间。封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于高功率密度设计。该器件的温度系数良好，导通电阻随温度变化较小，有助于在不同负载条件下保持稳定的性能。
　　在实际应用中，CRSS046N08N具备良好的抗干扰能力和高稳定性的开关特性，能够在恶劣的电磁环境中保持正常工作。其高可靠性和长寿命也使其在电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电机驱动等高要求的电力电子系统中表现出色。

CRSS046N08N碳化硅MOSFET广泛应用于多个高性能电力电子领域。在电动汽车领域，该器件常用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中，提供高效、紧凑的功率转换解决方案。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能变流器，CRSS046N08N的高效率和高频开关能力有助于提升系统整体能效和功率密度。在工业应用中，该器件适用于高功率密度的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电机驱动系统，能够有效降低系统损耗并提高运行稳定性。此外，CRSS046N08N还适用于高频率功率因数校正（PFC）电路，帮助实现更高的功率因数和更低的谐波失真，满足严格的能效标准。在测试设备和功率模块设计中，该器件的高可靠性和良好的热管理性能也使其成为理想的选择。

C3M0065080K, SCT3080KE, SiC MOSFET 650V 80A