类型：碳化硅 MOSFET
　　漏源电压 VDS：800V
　　栅源电压 VGS：-10V ~ +25V
　　导通电阻 RDS(on)：24mΩ（典型值）
　　连续漏极电流 ID：120A
　　峰值漏极电流 IDM：480A
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：表面贴装 TO-263-7L
　　功率耗散：420W

CRSQ024N08N 具备一系列优异的电气和热性能，使其在高功率密度电源系统中表现出色。
　　首先，基于碳化硅材料的MOSFET具有极低的导通电阻和快速的开关速度，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体系统效率。
　　其次，该器件具备优异的高温稳定性，工作温度范围宽广（-55°C至+175°C），适合在恶劣环境下稳定运行。
　　再者，其封装采用先进的表面贴装TO-263-7L封装技术，优化了热管理和电气连接，增强了散热能力，提高了系统的可靠性。
　　此外，CRSQ024N08N 的栅极驱动电压范围较宽（-10V至+25V），支持兼容多种栅极驱动器，增强了设计灵活性。
　　最后，该器件的短路耐受能力较强，具备良好的鲁棒性，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。

CRSQ024N08N 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电力电子系统中。
　　在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及牵引逆变器，提升电能转换效率并减少热管理复杂度。
　　在可再生能源方面，CRSQ024N08N 被广泛用于太阳能逆变器和储能系统，其高开关频率和低损耗特性有助于提高系统整体能效。
　　在工业电源系统中，该MOSFET适用于服务器电源、UPS不间断电源、工业电机驱动和焊接设备等高功率应用。
　　此外，该器件也可用于高频感应加热、激光电源、电池测试设备等特殊应用场合，提供稳定可靠的功率开关解决方案。

C3M0280090D, SCT3082ASTHR, SiC MOSFET 120A 800V