时间：2025/8/1 20:02:13
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CRSM088N12N是一款由Cree（科锐）公司生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET晶体管。该器件基于碳化硅半导体技术，具备出色的导通和开关性能，适用于高效率、高频和高温度工作环境。该型号的额定电压为1200V，最大连续漏极电流为88A，适合用于工业电源、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源系统以及高功率密度转换器等应用。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压(Vds)：1200V
最大漏极电流(Id)：88A
导通电阻(Rds(on))：约8.8mΩ
栅极电荷(Qg)：典型值约150nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247-3
CRSM088N12N的主要特性之一是其碳化硅材料带来的优异性能。与传统硅基MOSFET相比，SiC MOSFET具有更低的导通损耗和显著降低的开关损耗，这使得器件能够在更高的开关频率下运行，同时保持高效率。此外，该器件的导通电阻非常低，仅为8.8mΩ，有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
另一个重要特性是其高耐压能力，额定电压达到1200V，使其适用于高电压应用。该器件能够在高达175°C的结温下稳定工作，具有出色的热稳定性和可靠性，适合在高温环境中使用，减少了对复杂散热系统的依赖。
CRSM088N12N采用TO-247-3封装，提供了良好的散热性能和机械稳定性。该封装形式广泛用于高功率应用，并且与现有的功率模块设计兼容，便于集成到各种功率转换系统中。
CRSM088N12N常用于需要高效率、高功率密度和高频率操作的电力电子系统中。典型应用包括电动车充电器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器以及高功率DC-DC转换器。由于其优异的开关性能和热稳定性，该器件在这些应用中能够显著提升系统效率并减少散热需求，从而降低整体系统成本。
在电动汽车充电系统中，CRSM088N12N可用于高效能AC-DC和DC-DC转换器，提升充电效率并缩短充电时间。在可再生能源系统中，该器件可应用于光伏逆变器，提高能量转换效率并减少能量损失。此外，在工业电源和电机驱动系统中，该器件的高频率工作能力有助于减小磁性元件的尺寸和重量，从而实现更紧凑的设计。
C2M0080120D, SCT3080KEEHR, CRSM095N12N
