时间：2025/8/1 12:53:54
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CRSM055N10L2 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：55A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值，典型值 4.2mΩ）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
CRSM055N10L2 具备出色的导通性能和热稳定性，其低 Rds(on) 特性可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 内部设计优化，具有良好的雪崩能量承受能力，适合在高应力开关条件下使用。其 TO-263 封装形式具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、同步整流器等高效率应用。由于其高电流承载能力和低导通损耗，CRSM055N10L2 在电源管理系统中具有广泛的应用前景。
CRSM055N10L2 主要应用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、启动系统和照明控制模块。
SiHH055N10L2, IRF1405, FDP055N10L, FDS4410
