CRSM053N08N 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管,由罗姆半导体生产。该器件具有高效率、高速开关和低功耗的特点,非常适合用于高频电源转换器、太阳能逆变器以及各类工业设备中的功率管理模块。
这款二极管采用 TO-247 封装形式,能够承受较高的反向电压并提供较低的正向压降,从而显著减少能量损耗。
最大反向电压:800V
正向电流:5A
典型正向电压:1.3V
反向恢复时间:60ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:TO-247
CRSM053N08N 的主要特点是其采用了先进的 SiC 材料技术,这使其具备了比传统硅基二极管更优异的性能。首先,它拥有极低的正向电压降 (约 1.3V),有助于降低导通时的能量损失;其次,它的反向恢复时间为 60 纳秒,使得开关速度更快,适用于高频应用环境。
此外,该器件可以承受高达 800V 的反向电压,确保在高压条件下的稳定性。同时,其能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内正常运行,适应各种恶劣的工作场景。
CRSM053N08N 主要应用于需要高效功率转换和快速开关响应的领域,包括但不限于以下方面:
1. 高频 DC-DC 转换器
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车充电基础设施
4. 工业电机驱动系统
5. 不间断电源 (UPS) 设备
由于其出色的电气性能和热性能,该器件特别适合于对效率和可靠性要求较高的场合。
CRSM053N06N
CRSM053N12N