CRSM034N06L2是一款基于先进的沟槽MOSFET技术的低电压、大电流功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件采用了DPAK封装形式,具有较低的导通电阻和较高的效率,同时具备良好的热性能和电气稳定性。
此型号是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款高效能产品,专为要求高效率、高可靠性的应用设计,适合用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS):60V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):34A
导通电阻(R_DS(on)):1.8mΩ @ V_GS=10V
总功耗(P_TOT):150W
结温范围(T_J):-55°C至+175°C
封装形式:TO-263 (DPAK)
CRSM034N06L2的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(R_DS(on)),能够在高电流条件下降低功耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力,确保在异常工作条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,提升动态性能。
4. 良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
6. 封装紧凑,便于PCB布局和散热设计。
该器件主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电池保护和管理电路。
4. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类便携式设备的充电和电源管理系统。
CRSM034N06LL, CRSM036N06LL, STP36NF06L