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CRSM034N06L2 发布时间 时间:2025/5/12 12:21:01 查看 阅读:21

CRSM034N06L2是一款基于先进的沟槽MOSFET技术的低电压、大电流功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件采用了DPAK封装形式,具有较低的导通电阻和较高的效率,同时具备良好的热性能和电气稳定性。
  此型号是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款高效能产品,专为要求高效率、高可靠性的应用设计,适合用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):60V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  连续漏极电流(I_D):34A
  导通电阻(R_DS(on)):1.8mΩ @ V_GS=10V
  总功耗(P_TOT):150W
  结温范围(T_J):-55°C至+175°C
  封装形式:TO-263 (DPAK)

特性

CRSM034N06L2的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(R_DS(on)),能够在高电流条件下降低功耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常工作条件下的鲁棒性。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,提升动态性能。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 封装紧凑,便于PCB布局和散热设计。

应用

该器件主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电池保护和管理电路。
  4. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 各类便携式设备的充电和电源管理系统。

替代型号

CRSM034N06LL, CRSM036N06LL, STP36NF06L

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