时间：2025/5/12 12:21:01
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CRSM034N06L2是一款基于先进的沟槽MOSFET技术的低电压、大电流功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件采用了DPAK封装形式，具有较低的导通电阻和较高的效率，同时具备良好的热性能和电气稳定性。
此型号是STMicroelectronics（意法半导体）推出的一款高效能产品，专为要求高效率、高可靠性的应用设计，适合用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：34A
导通电阻(R_DS(on))：1.8mΩ @ V_GS=10V
总功耗(P_TOT)：150W
结温范围(T_J)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263 (DPAK)
CRSM034N06L2的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），能够在高电流条件下降低功耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常工作条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗，提升动态性能。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 封装紧凑，便于PCB布局和散热设计。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电池保护和管理电路。
4. 汽车电子中的负载开关和电机驱动。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 各类便携式设备的充电和电源管理系统。
CRSM034N06LL, CRSM036N06LL, STP36NF06L
