时间：2025/4/28 11:44:30
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CRSM027N08N4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，专为高效率和高功率密度的应用场景设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及其他高压高频应用场景。
作为 SiC MOSFET 的一员，CRSM027N08N4 提供了显著优于传统硅基 MOSFET 的电气性能，在硬开关和软开关应用中均表现出色，能够帮助设计人员实现更小体积、更高效率和更可靠的产品。
额定电压：800V
额定电流：27A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：120nC
反向恢复时间：5ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CRSM027N08N4 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，支持高频工作，可减小无源元件的尺寸。
3. 出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行，延长器件寿命。
4. 内置反并联二极管，具备零反向恢复特性，降低开关噪声。
5. 高雪崩能量能力，增强系统在异常情况下的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
此外，该器件采用先进的封装技术，进一步优化了散热性能与电气连接可靠性。
CRSM027N08N4 广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域，包括但不限于：
1. 工业电源转换系统，如 UPS 和电机驱动。
2. 太阳能逆变器，用于最大化光伏系统的能源输出。
3. 电动汽车充电桩，支持快速充电和紧凑设计。
4. 开关电源 (SMPS)，提供更高的功率密度和更低的能耗。
5. DC-DC 转换器，用于汽车电子和通信基础设施。
由于其优异的性能表现，CRSM027N08N4 成为现代电力电子设计中的理想选择。
CRSM030N08N4
CRSM025N08N4
