类型：碳化硅 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：72nC（典型值）
　　漏极连续电流（Id）：120A（Tc=25℃）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗（Pd）：300W
　　短路耐受能力：有
　　栅极电压范围：-10V 至 +20V

CRSE120N10L采用了Wolfspeed的碳化硅（SiC）工艺技术，具备极低的导通电阻和卓越的开关性能，使其在高频功率转换应用中表现出色。该器件的Rds(on)仅为12mΩ，显著降低了导通损耗，同时其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关效率并减少驱动损耗。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于紧凑型高功率密度设计。CRSE120N10L还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。由于碳化硅材料的宽禁带特性，该器件具有更高的击穿电场强度、更低的反向恢复损耗以及更高的热导率，使得整体系统效率更高、散热设计更简化。此外，该器件支持快速开关操作，有助于减小磁性元件的尺寸，提高系统的功率密度。
　　在封装方面，CRSE120N10L采用标准TO-247封装，便于与现有的功率模块和散热系统兼容，同时具备良好的机械稳定性和电气隔离性能。其封装材料和工艺也确保了长期使用的可靠性和稳定性。

CRSE120N10L广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电源、服务器电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器以及高密度电源模块等。由于其出色的高频开关性能和低导通损耗，该器件特别适用于硬开关和软开关拓扑结构，如LLC谐振变换器、相移全桥（PSFB）和同步整流电路。此外，CRSE120N10L的高热导率和良好的温度稳定性使其在高温或高功率应用场景中表现优异，能够有效降低冷却系统的复杂性和成本。

C2M0080120D（Wolfspeed）、SCT3080AL（ROHM）、SiC MOSFET 120A 100V（ON Semiconductor）