时间：2025/8/1 21:21:33
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CRSD082N10L2 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 技术，提供低导通电阻和高电流能力，使其适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：80A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：8.2mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2-Pak）表面贴装
技术：沟槽式 MOSFET
CRSD082N10L2 具有低导通电阻的特点，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。其高电流处理能力（高达 80A）使其适用于需要大电流负载的应用场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 栅极驱动电压下的高效导通，同时也能够在较高电压下稳定运行。
该 MOSFET 采用 TO-263 表面贴装封装，具有良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，可在恶劣环境条件下稳定运行。此外，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，增强了在高能脉冲负载下的可靠性。
CRSD082N10L2 的设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。同时，该器件具备较强的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
CRSD082N10L2 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率电源转换和负载管理应用中表现出色。此外，该器件也适用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向控制模块。
SiHH80N10T、FDD8882、IRF1404、FDMS8880
