类型：碳化硅功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电压范围：-10V ~ +20V

CRS5001-2303F具备多项优异的电气和物理特性。首先，其碳化硅材料赋予了该器件极低的导通电阻（RDS(on)）和开关损耗，使其在高频率和高功率密度应用中表现出色。此外，该MOSFET具有极高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行而不会显著降低性能。
　　其次，CRS5001-2303F采用了先进的平面栅极技术，优化了栅极控制，提高了器件的开关速度和稳定性。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。此外，TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于与现有功率模块设计兼容，简化了系统集成过程。
　　最后，CRS5001-2303F具有优异的抗电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统中的噪声干扰，提高整体系统的电磁兼容性（EMC）表现。这些特性共同使得CRS5001-2303F成为高性能功率转换系统的理想选择。

CRS5001-2303F广泛应用于多个高性能电力电子领域。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器、电机驱动系统以及DC-DC转换器，显著提升能效并减少系统体积和重量。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风能变流器，CRS5001-2303F的高效率和高频率特性有助于提高能源转换效率，并降低系统成本。此外，在工业电源、不间断电源（UPS）和储能系统中，该MOSFET也可发挥重要作用，提供更高的功率密度和更可靠的运行性能。由于其优异的热管理能力，CRS5001-2303F还可用于高温或高湿度环境下的特种电源系统，确保在严苛条件下的稳定运行。

C3M0280120D、SiC MOSFET 1200V 80A、CRS5001-2303F的替代型号还包括Cree自家的CRS5001-2304F以及英飞凌（Infineon）的IMW120R030M1H。