CRO3040A-LF 时间：2025/8/15 19:15:53 阅读：23

CRO3040A-LF 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高性能和高可靠性。该器件适用于各种电源管理和功率转换应用，其设计能够提供较低的导通电阻（RDS(on)）以及较高的电流承载能力，使其在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域得到广泛应用。该器件采用表面贴装（SMD）封装，适合自动化生产流程，并具有良好的热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大漏极电流（ID）：70A（在 25°C 下）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 3.0mΩ（在 VGS=10V 时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 3.0V（在 ID=250μA 时）
　　最大功率耗散（PD）：170W（在 25°C 下）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装类型：表面贴装

特性

CRO3040A-LF 具备多项优异的电气和热性能，能够满足高功率密度设计的需求。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 最大值仅为 3.0mΩ，这在同类器件中表现优异。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 70A 的漏极电流，使其适用于高功率负载应用。此外，该器件的封装设计（TO-252）提供了良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提升整体系统的稳定性与寿命。
　　由于其表面贴装（SMD）封装形式，CRO3040A-LF 非常适合自动化装配流程，降低了制造成本并提高了生产效率。该器件还具有良好的栅极控制特性，栅极阈值电压范围为 1.5V 至 3.0V，适合与多种驱动电路配合使用。
　　另外，CRO3040A-LF 的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，具备出色的环境适应能力，适用于工业级和汽车级应用场景。该器件的高可靠性和耐久性也使其在恶劣环境中表现稳定。

应用

CRO3040A-LF 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关或同步整流器，提高电源效率并减小整体尺寸。在 DC-DC 转换器中，它常用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，以实现高效能的电压转换。
　　此外，该 MOSFET 还广泛应用于负载开关、马达控制、电池管理系统（BMS）、逆变器以及电源管理系统中。在电动车、电动工具、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中，CRO3040A-LF 也扮演着关键角色。
　　由于其出色的热性能和高电流能力，该器件还可用于需要频繁开关操作的应用，如电源管理模块和高频率 PWM 控制电路。