CRO3040A-LF 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高性能和高可靠性。该器件适用于各种电源管理和功率转换应用,其设计能够提供较低的导通电阻(RDS(on))以及较高的电流承载能力,使其在开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域得到广泛应用。该器件采用表面贴装(SMD)封装,适合自动化生产流程,并具有良好的热性能。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):40V
最大漏极电流(ID):70A(在 25°C 下)
导通电阻 RDS(on):最大 3.0mΩ(在 VGS=10V 时)
栅极阈值电压(VGS(th)):1.5V ~ 3.0V(在 ID=250μA 时)
最大功率耗散(PD):170W(在 25°C 下)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
安装类型:表面贴装
CRO3040A-LF 具备多项优异的电气和热性能,能够满足高功率密度设计的需求。首先,其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。在 VGS=10V 的条件下,RDS(on) 最大值仅为 3.0mΩ,这在同类器件中表现优异。
其次,该 MOSFET 支持高达 70A 的漏极电流,使其适用于高功率负载应用。此外,该器件的封装设计(TO-252)提供了良好的热管理能力,有助于在高负载条件下保持较低的工作温度,从而提升整体系统的稳定性与寿命。
由于其表面贴装(SMD)封装形式,CRO3040A-LF 非常适合自动化装配流程,降低了制造成本并提高了生产效率。该器件还具有良好的栅极控制特性,栅极阈值电压范围为 1.5V 至 3.0V,适合与多种驱动电路配合使用。
另外,CRO3040A-LF 的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C,具备出色的环境适应能力,适用于工业级和汽车级应用场景。该器件的高可靠性和耐久性也使其在恶劣环境中表现稳定。
CRO3040A-LF 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可作为主开关或同步整流器,提高电源效率并减小整体尺寸。在 DC-DC 转换器中,它常用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构中,以实现高效能的电压转换。
此外,该 MOSFET 还广泛应用于负载开关、马达控制、电池管理系统(BMS)、逆变器以及电源管理系统中。在电动车、电动工具、不间断电源(UPS)和工业自动化设备中,CRO3040A-LF 也扮演着关键角色。
由于其出色的热性能和高电流能力,该器件还可用于需要频繁开关操作的应用,如电源管理模块和高频率 PWM 控制电路。
IRF3040, STP70NF40, FQP70N40L, Si7446DP, CSD17579Q5B