时间：2025/8/1 15:02:49
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CRJQ41N65GCF 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的高电压、大电流N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高功率电子设备中。该器件采用了先进的高压工艺技术，具备优良的导通电阻和开关性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：41A（@TC=100℃）
导通电阻(Rds(on))：0.15Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
CRJQ41N65GCF 具备低导通电阻和高电流承载能力，能够在高电压环境下实现高效的功率转换。其低开关损耗特性使其适用于高频开关应用，提高系统效率并减少发热。此外，该器件具有良好的热稳定性和过载保护能力，适用于严苛的工业环境。
这款MOSFET采用了优化的封装设计，确保良好的散热性能，同时具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了器件的可靠性和寿命。栅极驱动电压范围宽，支持标准驱动电路，便于系统集成。
CRJQ41N65GCF 在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保在各种应用条件下都能提供稳定性能，是工业电源、电动汽车充电模块、光伏逆变器等高端应用的理想选择。
CRJQ41N65GCF 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动电路、LED照明电源、光伏逆变器以及工业自动化控制系统等领域。其高耐压和大电流能力也使其在新能源汽车充电设备和储能系统中得到广泛应用。
SiHF40N65E6, STF40N65DM2, FQA40N65S
