类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：700V
　　最大漏极电流（ID）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.11Ω
　　最大功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

CRJF360N70G2 MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，其700V的最大漏极电压额定值使其能够在高电压环境下稳定运行，适用于开关电源和DC-DC转换器等高压应用。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.11Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少散热需求。此外，CRJF360N70G2的封装设计优化了热管理性能，确保在高电流负载下仍能保持较低的工作温度。
　　另一个显著特性是其高电流承载能力，最大漏极电流可达36A，适用于需要高功率输出的应用场景。此外，该MOSFET具备出色的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。CRJF360N70G2还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关应用。此外，该器件的制造工艺确保了良好的一致性与长期稳定性，适用于工业级和高可靠性要求的应用场景。

CRJF360N70G2广泛应用于多个高功率电子系统中。在电源领域，该器件适用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器，能够提供高效率和稳定的电压转换性能。在工业自动化设备中，它可用于电机驱动、变频器和伺服控制系统，以实现高效的能量传输和精确的控制。此外，该MOSFET还适用于不间断电源（UPS）系统，在市电中断时提供稳定的电力供应，保障关键设备的持续运行。
　　在新能源领域，CRJF360N70G2可用于太阳能逆变器和风力发电变流器，实现高效的能量转换和管理。在电动汽车和充电桩系统中，该器件可用于DC-DC变换器和车载充电器，满足高功率需求。此外，该MOSFET还可用于焊接设备、激光电源和测试仪器等高功率电子设备中，提供稳定的功率控制和高效能表现。

IXFH36N70Q2, IRFP4668, FDPF360N70TF