时间：2025/8/1 12:53:30
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CRGMF100T120FSA3 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，具有高效率、高频操作能力和低导通及开关损耗。这款MOSFET主要面向高性能电力电子系统，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、工业电机驱动器和高密度电源模块。CRGMF100T120FSA3 封装为双面散热的表面贴装封装，适用于需要高效热管理和紧凑设计的应用场景。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ
栅极电荷（Qg）：160nC
短路额定值：有
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：表面贴装，双面散热
功率耗散：480W
CRGMF100T120FSA3 具有多种卓越的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电源系统。其碳化硅材料的宽带隙特性使其在高温下仍能保持稳定的工作状态，同时显著降低开关损耗和导通损耗。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。
此外，CRGMF100T120FSA3 提供了良好的短路保护能力，增强了器件在高应力工作条件下的可靠性。其表面贴装封装支持双面散热，提高了热管理效率，使器件能够适应高功率应用场景中的严格热要求。栅极电荷（Qg）较低，使得器件在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提高了系统的动态响应能力。
CRGMF100T120FSA3 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统。典型应用包括电动汽车的车载充电器（OBC）、快速充电桩、太阳能逆变器、风力发电变流器、工业电机驱动器以及高密度电源模块等。此外，该器件还可用于各种需要高效能功率转换的高端工业设备，如不间断电源（UPS）、储能系统和智能电网基础设施。
CRGMF100T120FSA3的替代型号包括CRGMF100T120DA3 和 CRGMF80T120FSA3。
