时间：2025/8/1 14:29:45
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CRG75T65BK5SD是一款功率MOSFET，通常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的导通和开关性能。适用于工业电源、UPS系统、电机控制和电动汽车充电器等多种高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：75A
最大漏极-源极电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为140mΩ（在VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值为125nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
CRG75T65BK5SD采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得导通损耗和开关损耗达到平衡，从而提高了整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，该MOSFET具备较高的短路耐受能力，增强了在严苛工作条件下的可靠性。封装设计优化了散热性能，使其适用于高功率密度的设计需求。
CRG75T65BK5SD广泛应用于各种电力电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。在这些应用中，该器件能够提供高效的电能转换和稳定的性能表现。
IRF75N65CFD2、STW75N65M2、FCH075N65S3、IPW75N65CFD7
