类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ
　　栅极电荷（QG）：55nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗（Ptot）：300W

CRG75T65AK5HD具有多项显著的性能优势，首先其采用的碳化硅（SiC）技术显著降低了导通和开关损耗，从而提高了系统效率。与传统硅基MOSFET相比，该器件在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，并且具备更高的热导率，有助于提升器件的可靠性。此外，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）仅为16mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。该器件的栅极电荷（QG）为55nC，支持快速开关操作，适用于高频应用。CRG75T65AK5HD还具备优异的短路耐受能力，能够在极端工况下提供稳定的性能。其TO-247封装形式不仅便于安装和散热，还具有良好的机械稳定性和电气绝缘性能，适用于多种复杂环境。此外，该器件符合RoHS环保标准，确保了其在工业和汽车应用中的广泛适用性。
　　在驱动能力方面，CRG75T65AK5HD能够支持高电流和高电压的应用需求，同时具备较低的开关损耗，适用于高频率功率转换器设计。其工作温度范围为-55°C至175°C，确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。该器件的高性能特性使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电机驱动以及高频电源转换等应用的理想选择。

CRG75T65AK5HD广泛应用于需要高效率和高频率开关性能的电力电子系统中。该器件特别适合用于电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，有助于提升能效并减小系统尺寸。此外，该MOSFET适用于太阳能逆变器和储能系统，能够有效降低能量损耗，提高系统整体效率。在工业领域，CRG75T65AK5HD可用于高性能电机驱动、不间断电源（UPS）以及高频开关电源（SMPS）的设计。其优异的热性能和高可靠性也使其适用于严苛环境下的电力电子应用，如工业自动化设备和测试仪器。由于其高频率开关能力和低导通损耗，该器件在高频谐振转换器和LLC转换器中表现尤为出色，能够有效提升系统的开关效率并减少热量产生。

Infineon IMZA65R048M1H, Infineon IMBF120R030M1H, Cree/Wolfspeed C3M0060065J, STMicroelectronics SCT060N65GAG