时间：2025/8/1 21:58:57
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CRG60T60AK3HD是一款由CRI（Central Semiconductor Corp）生产的高电压、大电流MOSFET晶体管，广泛应用于高功率电子设备和工业控制领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有良好的导通性能和高效的开关特性，适用于电源转换、电机驱动、逆变器设计等场景。CRG60T60AK3HD属于N沟道MOSFET类型，能够承受较高的漏源电压，并在高电流条件下保持稳定的工作状态。
类型: N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）: 600V
最大漏极电流（Id）: 60A（连续）
最大栅源电压（Vgs）: ±20V
导通电阻（Rds(on)）: 典型值为0.17Ω
最大功耗（Pd）: 300W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-247
晶体管配置: 单管
CRG60T60AK3HD具备多项优良特性，使其适用于高功率和高性能的应用场景。
首先，该器件的漏源耐压（Vds）达到600V，能够在高压条件下稳定工作，适用于工业电源、变频器等设备。
其次，其额定漏极电流为60A，支持较大的负载电流，适合用于高功率电机驱动、电源开关等应用。
CRG60T60AK3HD的导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为0.17Ω，这意味着在导通状态下功率损耗较小，提高了整体效率，降低了发热问题。
该器件的封装采用TO-247形式，具有良好的散热性能，能够在较高温度下可靠运行。
此外，该MOSFET支持±20V的栅源电压，增强了其在复杂控制电路中的适用性，适用于各种PWM控制和高频开关应用。
最后，其工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行，适合工业、自动化和恶劣环境中的应用。
CRG60T60AK3HD因其高性能和高可靠性，被广泛应用于多个领域。
在电力电子领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器以及UPS（不间断电源）系统中，其高耐压和低导通电阻特性有助于提升系统效率并降低损耗。
在电机控制方面，CRG60T60AK3HD可用于驱动直流电机、步进电机及伺服电机，尤其适合需要高功率输出的工业自动化设备。
此外，该MOSFET也常见于电焊机、电镀电源等高电流应用场合。
在新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也被用于功率转换和能量管理模块。
由于其优异的电气特性和稳定的封装结构，CRG60T60AK3HD同样适用于测试设备、负载开关和电源管理系统等应用场景。
IXFH60N60Q, IRG4BC60KD, FGA60N60SMD, STGF60N60DM2
