时间：2025/5/29 1:57:15
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CRG20T60A83L是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低能量损耗并提升系统性能。
该芯片属于沟道型MOSFET，封装形式通常为TO-220或类似散热优化设计，以满足大电流和高电压环境下的稳定运行需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：20A
导通电阻：8.3mΩ
栅极电荷：15nC
开关时间：开启延迟时间20ns，下降时间15ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CRG20T60A83L具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其在大电流应用中表现出色，减少发热和功耗。
2. 快速的开关能力确保了高频工作的高效率。
3. 高耐热性设计支持更宽的工作温度范围，适用于恶劣环境。
4. 内置反向恢复二极管，简化电路设计并提高可靠性。
5. 封装结构优化散热性能，延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款功率MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关角色。
2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的DC/DC及DC/AC转换。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电机驱动。
其高效的能源转换能力和稳定性使其成为众多高要求应用的理想选择。
CRG20T60A83H, IRFZ44N, FDP18N60
