类型：功率MOSFET
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.35Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：20nC（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　短路耐受能力：具备
　　封装热阻（RθJA）：约60℃/W

CRG15T65采用了先进的沟槽型功率MOSFET工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能，从而降低了导通损耗和开关损耗。该器件具备较强的电流承载能力，在高负载条件下依然能够保持稳定运行。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和短路保护能力，能够在严苛的工业环境下可靠工作。CRG15T65还具备较高的dv/dt耐受能力，有助于减少电磁干扰（EMI）。其TO-252封装形式便于PCB布局，并具有良好的散热性能，适用于紧凑型电源设计。
　　在制造工艺方面，CRG15T65采用优化的硅片结构和封装材料，提升了器件的长期稳定性与可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，包括直接由微控制器或专用MOSFET驱动器进行控制。此外，该MOSFET的快速恢复特性使其适用于高频开关应用，有助于提高电源转换效率。

CRG15T65广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、工业自动化控制系统以及电池管理与充电系统。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热性能，CRG15T65特别适用于对效率和可靠性要求较高的中高功率电源应用。

STF15N65M5, FQA15N65C, FDPF15N65AS