CR80P110 时间：2025/12/29 15:19:49 阅读：14

CR80P110是一款由国产厂商推出的高性能功率晶体管，通常用于电源管理、功率放大和开关电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有高耐压、大电流承载能力以及良好的热稳定性，适用于各类工业控制、电源适配器、电机驱动和LED照明等应用。CR80P110通常采用TO-220或TO-263等标准封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω（最大0.45Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（根据具体厂商）
　　功率耗散（Pd）：约83W（Tc=25°C）

特性

CR80P110是一款专为高电压和高电流应用设计的功率MOSFET，具备出色的导通性能和开关特性。其高耐压能力（800V）使其能够适用于高压电源系统，如开关电源、LED驱动电源和逆变器等。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，CR80P110的封装设计优化了散热性能，增强了在高功率应用中的可靠性。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和能效。CR80P110的栅极驱动特性也较为友好，兼容常见的驱动电路设计，便于工程师进行电路优化和集成。
　　值得一提的是，CR80P110的制造工艺和材料选择均符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发需求。

应用

CR80P110广泛应用于各类高电压、大电流的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及家电控制模块等。其高耐压和大电流能力使其成为高压DC-AC转换器和AC-DC整流电路中的关键组件。此外，在新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电模块中，CR80P110也能发挥重要作用。