型号：CR75NP-100KC
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：100 V
　　最大栅源电压（V_GS）：±20 V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：75 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：300 A
　　导通电阻（R_DS(on)）@10V V_GS：8.5 mΩ
　　导通电阻（R_DS(on)）@4.5V V_GS：11.5 mΩ
　　阈值电压（V_GS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（C_iss）：6600 pF
　　输出电容（C_oss）：920 pF
　　反向恢复时间（t_rr）：34 ns
　　二极管正向电压（V_SD）：1.4 V
　　最大功耗（P_tot）：225 W
　　工作结温范围（T_j）：-55 ~ +175 °C
　　封装形式：D2PAK (TO-263)
　　安装类型：表面贴装

CR75NP-100KC采用了Vishay成熟的平面场效应晶体管工艺，具备出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻是该器件的核心优势之一，典型值仅为8.5mΩ（在V_GS=10V时），这显著降低了在高电流应用中的导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。即使在较低的驱动电压下（如4.5V），其R_DS(on)也仅增加至11.5mΩ，展现出良好的栅极驱动兼容性，适合与现代低电压逻辑控制器（如DC-DC控制器或微处理器）直接接口使用。
　　该器件具有高达75A的连续漏极电流能力，且脉冲电流可承受高达300A，表明其在瞬态负载或启动冲击电流场景下具备优异的耐受能力。这对于电机驱动、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等需要应对突发大电流的应用至关重要。同时，其高达225W的最大功耗能力结合D2PAK封装的良好散热设计，使得器件能够在较高环境温度下持续工作而不发生热失效。
　　CR75NP-100KC具备优秀的开关特性，包括较低的输入和输出电容（C_iss=6600pF，C_oss=920pF），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的效率。反向恢复时间（t_rr）为34ns，意味着体二极管的恢复速度较快，减少了在同步整流或桥式电路中因二极管反向恢复引起的额外损耗和电磁干扰问题。
　　该MOSFET还具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在极端环境条件下可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等对温度要求严苛的应用场景。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了开启的一致性和稳定性。此外，器件经过优化设计，具有较强的抗雪崩能力和dv/dt能力，提升了在电压瞬变或负载突变情况下的鲁棒性，有效防止意外击穿或闩锁现象的发生。

CR75NP-100KC广泛应用于需要高效能、大电流切换能力的电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、电信整流器和工业电源模块中作为主开关或同步整流器使用。其低R_DS(on)和高电流能力使其非常适合用于DC-DC降压或升压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中，能够有效分担电流，降低温升，提高系统功率密度。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，承担高频率的PWM控制任务。由于其快速的开关特性和良好的热性能，能够在长时间运行中保持稳定输出，避免因过热导致性能下降。
　　此外，CR75NP-100KC也适用于逆变器系统，如太阳能微型逆变器、UPS不间断电源以及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源部分。在这些应用中，器件需频繁进行高速开关操作，而CR75NP-100KC的低电容和快速响应能力有助于减少开关损耗，提升能量转换效率。
　　其他潜在应用场景还包括电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、热插拔电路保护、电源分配单元（PDU）以及各种高功率LED驱动电路。其表面贴装D2PAK封装便于自动化生产，同时支持PCB背面散热设计，进一步增强系统的热管理能力。

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　　 "IRF3205",
　　 "IRF1404",
　　 "FDP8870",
　　 "IPB016N10N3",
　　 "STP75NF75"
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