时间：2025/9/9 19:02:55
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CR54NP-100MC 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。该器件采用了先进的工艺技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适合中高功率的应用需求。CR54NP-100MC 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在较高的电流和电压下稳定工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds：100V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：54A
导通电阻 Rds(on)：约 18mΩ（典型值）
功率耗散：160W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220
CR54NP-100MC 具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。其先进的沟槽式 MOSFET 技术确保了器件在高频开关应用中的优异表现，减少了开关损耗。
此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，使其适用于多种中高压电源管理系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机驱动器。TO-220 封装提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于在恶劣环境中保持稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 栅极驱动电压，同时具备较强的抗静电能力（ESD 保护），增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性。CR54NP-100MC 还具有较低的输入电容和输出电容，有助于提高开关速度并减少驱动损耗。
在安全性和耐用性方面，CR54NP-100MC 通过了多项国际认证，确保其在工业级应用中的稳定性和长期可靠性。
CR54NP-100MC 广泛应用于多种电力电子系统中。在电源管理领域，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，能够高效地控制能量传输并减少功率损耗。
在电机控制方面，该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、步进电机控制器等，提供快速的开关响应和稳定的电流控制。
此外，CR54NP-100MC 也适用于电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制、过流保护和负载切换等功能。在工业自动化和自动化控制系统中，该器件可用于电源开关、继电器替代以及高频逆变器电路。
由于其优异的导通性能和耐压能力，CR54NP-100MC 在太阳能逆变器、电动工具、电动车控制器等新兴应用中也得到了广泛应用。
IRF1404, Si4410BDY, FDS4410A, IPW90R120I
