类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.25Ω
　　最大功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CR5210S-150 具有以下显著特性：
　　首先，其高耐压特性（150V）使其适用于中高功率电源转换系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源等，能够承受较大的电压应力，提高系统的稳定性与可靠性。
　　其次，该器件的导通电阻较低，通常在0.25Ω以下，有助于降低导通损耗，提高整体转换效率。这对于高能效设计尤为重要，尤其是在电池供电设备或节能型电源中。
　　再者，CR5210S-150 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够在较高工作温度下稳定运行。其封装设计也便于在PCB上安装与焊接，适用于自动化生产流程。
　　此外，该MOSFET具有较快的开关速度，能够适应高频开关应用，有助于减小外围电路的体积，提高系统的响应速度和动态性能。
　　最后，CR5210S-150 在制造过程中采用了严格的品质控制标准，确保其在各种恶劣环境下的长期稳定运行，如高温、高湿或电磁干扰较强的工业现场。

CR5210S-150 主要应用于以下领域：
　　在工业自动化设备中，常用于驱动电机、继电器、电磁阀等负载，作为功率开关使用；
　　在电源管理系统中，广泛用于DC-DC降压/升压转换器、AC-DC整流电路以及负载开关控制电路；
　　在通信设备中，如基站电源模块、光模块供电电路等，提供高效稳定的功率控制；
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑电源管理模块、充电器、LED驱动电路中也常见其身影；
　　此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、车灯控制模块、电动助力转向系统中也有广泛应用。
　　由于其优异的热稳定性和可靠性，CR5210S-150 也适用于一些对稳定性要求较高的嵌入式控制系统中。

IRF540N, FDPF5N150, SiHF5N150-T1-E3