时间：2025/5/22 14:53:58
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CR4N65FA9K 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低功耗的开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种工业和消费类电子应用。
这款 MOSFET 的额定电压为 650V，能够承受较高的瞬态电压冲击，同时具备良好的热稳定性和可靠性，确保在各种严苛环境下都能正常工作。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
最大功耗：210W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
CR4N65FA9K 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景；
2. 极低的导通电阻，减少传导损耗；
3. 快速开关性能，降低开关损耗；
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行；
5. 小尺寸封装，节省 PCB 空间；
6. 符合 RoHS 标准，环保设计。
该 MOSFET 适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管；
2. 电机驱动电路中的功率级控制；
3. 逆变器和转换器中的高频开关；
4. LED 驱动器中的电流调节元件；
5. 工业自动化设备中的功率管理模块；
6. 电池充电器和保护电路中的开关元件。
CR4N65FA9J, CR4N65FA9H
