时间：2025/8/1 21:19:46
阅读：31
CR4N65A3K是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率电子系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有较低的导通电阻、较高的开关速度和良好的热稳定性。CR4N65A3K封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种标准PCB安装方式。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：650V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
CR4N65A3K具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其650V的漏极-源极电压使其适用于高压系统，具备良好的击穿耐受能力。其次，该MOSFET的栅极-源极电压为±20V，允许在较高的驱动电压下工作，从而加快开关速度并降低开关损耗。
在导通性能方面，CR4N65A3K具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常低于2Ω，确保在4A连续漏极电流下保持较低的导通损耗。此外，其最大功耗为50W，具备良好的散热性能，适合高负载环境。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端环境条件下仍能稳定运行。TO-220封装不仅便于安装，还提供了良好的热传导性能，有助于提高整体系统的可靠性。
CR4N65A3K还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在工业和电源应用中的稳定性。
CR4N65A3K广泛应用于多种高功率电子设备和系统中，尤其适合于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达控制器、LED驱动器和负载开关电路。其高压特性和良好的导通性能使其成为电源适配器、充电器和工业自动化设备的理想选择。
在开关电源中，CR4N65A3K用于主开关电路，负责高效的能量转换和调节。在电机驱动系统中，它可用于H桥结构，实现正反转控制和能耗制动。此外，该MOSFET也常用于LED照明系统中的恒流控制电路，确保光源稳定且高效运行。
由于其优良的热稳定性和封装散热性能，CR4N65A3K也适用于需要长时间连续运行的工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和传感器模块。
FQP4N65 / IRF840 / STP4NK65Z / 4N65
