类型：NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：10A
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

CR32275JT 晶体管具备多项优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大集电极电流可达 10A，能够处理较高的负载电流，适用于需要大电流驱动的电路。其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为 100V，确保在高压环境下也能稳定工作。此外，其功率耗散能力为 30W，能够在较高功率条件下长时间运行而不易过热。
　　CR32275JT 的 TO-220 封装形式不仅便于安装和散热，还提高了其在 PCB 板上的稳定性和可靠性。该晶体管具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在恶劣环境条件下使用。此外，其低饱和压降特性有助于减少能量损耗，提高整体系统效率。最后，CR32275JT 在高频应用中也表现出良好的响应特性，适用于多种开关和放大电路。

CR32275JT 晶体管广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机控制、LED 驱动、功率放大器以及工业自动化系统。在电源管理电路中，CR32275JT 常用于 DC-DC 转换器和稳压器，作为高电流开关元件，确保电源转换的高效性和稳定性。在电机控制应用中，该晶体管可用于驱动直流电机，实现对转速和方向的精确控制。
　　此外，CR32275JT 也常用于 LED 驱动电路，特别是在高亮度 LED 照明系统中，其高电流承载能力能够确保 LED 的稳定发光。在音频功率放大器中，该晶体管可以作为输出级，提供高保真音频信号放大。工业自动化系统中，CR32275JT 可用于继电器驱动、传感器信号放大等应用，确保系统的可靠运行。

TIP30C, TIP31C, MJ15003G