类型: NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30 V
　　最大发射极-基极电压（Veb）: 5 V
　　最大功耗（Pd）: 300 mW
　　电流增益（hFE）: 110 - 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）: 100 MHz
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C

CR32222JT 晶体管具有优异的电气性能和稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。该晶体管的主要特点包括高电流增益、良好的频率响应以及较低的饱和压降。这些特性使其非常适合用于低功率开关和信号放大应用。此外，CR32222JT 的 SOT-23 封装形式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用。
　　CR32222JT 的 hFE 值范围较广（110 到 800），这意味着它可以根据具体应用需求选择不同增益等级的器件。其过渡频率（fT）高达 100 MHz，表明该晶体管在高频应用中也能保持良好的性能。此外，晶体管的集电极-发射极最大电压为 30 V，使其能够在中等电压环境下稳定工作。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下运行。其最大功耗为 300 mW，适合低功耗设计。CR32222JT 的 SOT-23 封装形式具有三个引脚，分别为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector），与标准的晶体管封装兼容，便于替换和设计。

CR32222JT 晶体管广泛应用于多种电子电路中，尤其是在通用开关和信号放大电路中。由于其高增益和良好的频率响应特性，它常用于音频放大器、射频（RF）放大器以及数字开关电路。此外，该晶体管也可用于电源管理电路、逻辑电平转换、继电器驱动和 LED 驱动等应用。
　　在工业控制和自动化系统中，CR32222JT 可用于驱动小型继电器或控制其他负载。由于其能够在较高频率下工作，因此也适用于 PWM（脉宽调制）控制电路。在消费类电子产品中，该晶体管常用于电池供电设备中的低功耗开关和信号处理电路。
　　由于其 SOT-23 小型封装，CR32222JT 也非常适合用于便携式设备和高密度 PCB 设计中。例如，在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他小型电子设备中，该晶体管可以用于控制背光、LED 指示灯或其他外围设备。

2N3904, BC547, PN2222A