型号：CR3016
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.6A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤85mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤110mΩ（@VGS=-2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约350pF（@VDS=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23（SOT-23-3L）

CR3016采用先进的沟槽型MOSFET技术，确保了在P沟道器件中实现极低的导通电阻，从而显著降低功率损耗并提高能效。其典型RDS(on)在-4.5V栅极驱动下仅为85mΩ，即便在较低的-2.5V驱动条件下也能保持在110mΩ以下，这使得它非常适合用于电池供电系统中作为高效负载开关或反向电流保护元件。该器件的低阈值电压特性使其能够兼容现代低电压控制逻辑，例如由单片机GPIO口直接驱动，无需外加驱动电路，极大简化了外围设计。
　　在可靠性方面，CR3016经过严格的质量控制流程，具备出色的热稳定性和长期工作稳定性。其芯片结构优化了电场分布，提升了器件的雪崩能量承受能力和抗浪涌性能，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。同时，器件内部集成了一定程度的栅氧保护机制，增强了对静电放电（ESD）的耐受能力，典型HBM模型下的ESD耐压可达2000V以上，进一步提高了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
　　此外，CR3016的小型化SOT-23封装不仅节省PCB布局空间，还具备良好的散热性能，通过引脚传导有效将热量传递至电路板，避免局部过热导致性能下降。该封装符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类出口型电子产品。器件在整个工作温度范围内（-55℃至+150℃）均能保持稳定的电气参数，适应从民用消费电子到部分工业级应用的宽泛环境需求。综合来看，CR3016在性能、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是替代传统双极型晶体管或更高端功率MOSFET的理想选择之一。

CR3016广泛应用于需要小型化、高效率和高可靠性的低压电源管理系统中。常见应用场景包括便携式电子设备中的电池供电切换与反向电流阻断，如蓝牙耳机、智能手环、移动电源等产品中用于控制电池与主系统的连接与断开。在这些应用中，CR3016可作为高端开关，通过MCU控制实现软启动和待机模式下的零功耗设计。
　　此外，该器件也常用于各类DC-DC转换器的同步整流或续流路径中，尤其是在负压生成电路（如电荷泵）中作为关键开关元件，提升转换效率并减少发热。在工业传感器模块和通信接口电路中，CR3016可用于电源隔离与上电时序控制，防止系统上电过程中出现倒灌电流影响其他模块正常工作。
　　在LED驱动电路中，CR3016可作为灯串的使能开关，实现精准的亮灭控制；在多电源系统中，则可用于电源冗余切换或主备电源自动切换功能。由于其具备良好的开关速度和较低的寄生参数，也可用于高频开关场合下的信号通断控制。总之，凡是涉及-20V以内电压等级、中小电流开关控制的应用场景，CR3016都能提供稳定可靠的解决方案。

SI2301-C-E3