型号：CR202AM-36
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　封装类型：SOT-23
　　引脚数：3
　　二极管配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：36V
　　最大直流阻断电压（VR）：36V
　　最大均方根电压（VRMS）：25V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：200mA（单个二极管）
　　最大正向浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压降（VF）：450mV @ 10mA（典型值），600mV @ 10mA（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 25°C（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：4ns（典型值）

CR202AM-36的核心优势在于其采用了肖特基势垒技术，这种结构使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。其正向电压降在10mA时仅为450mV左右，这显著降低了功率损耗，提高了系统效率，特别适合用于低压大电流的电源转换场景。由于没有少数载流子的积累效应，肖特基二极管几乎不存在反向恢复电荷问题，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰，提升整个系统的动态响应能力。
　　该器件采用双共阴极结构，两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种设计常用于全波整流或双路同步检测等应用中，简化了电路布线并节省了PCB空间。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能和机械强度，便于自动化贴片生产，适合大规模工业制造。此外，CR202AM-36的工作温度范围宽广，从-55°C到+125°C，确保其在恶劣环境条件下仍能保持稳定的电气性能。
　　该器件对静电敏感度较低，具备一定的抗干扰能力，且符合无铅焊接工艺要求，支持回流焊和波峰焊等多种组装方式。其低漏电流特性（典型值1μA）保证了在关断状态下的低功耗表现，有助于延长电池供电设备的续航时间。综合来看，CR202AM-36凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高频开关电源、便携式设备和精密模拟电路中的理想选择。

CR202AM-36广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对效率和空间有严格要求的设计场景。在DC-DC转换器中，它常被用作续流二极管或同步整流辅助二极管，利用其低正向压降来提高转换效率，降低温升。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件用于电池充电管理电路和电源路径切换，提供高效的能量传输与反向保护。
　　在AC-DC适配器和小型电源模块中，CR202AM-36可用于次级侧的高频整流环节，替代传统快恢复二极管以减少开关损耗。此外，它也适用于信号解调、电压钳位、ESD保护和输入反接保护电路，在通信接口、传感器模块和微控制器外围电路中发挥重要作用。
　　由于其双共阴极结构，CR202AM-36特别适合构建全波整流桥的一部分，尤其是在空间受限的应用中，可以与其他分立元件配合实现紧凑型整流方案。在电机驱动、LED驱动电源和逆变器中，该器件可用于防止感应电动势造成的反向击穿，起到箝位和保护作用。同时，因其快速响应特性，也可用于高频脉冲整流和采样保持电路中，确保信号完整性。总之，CR202AM-36凭借其多功能性和高集成度，已成为消费电子、工业控制、汽车电子和物联网设备中的关键基础元件之一。

MBR0236T1G
　　RB751S30