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CR13N50FA9K 发布时间 时间:2025/7/11 9:10:51 查看 阅读:8

CR13N50FA9K 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频率、高效率的开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适合用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用领域。
  CR13N50FA9K 的设计优化了热性能和电气性能,使其能够在高频工作条件下保持高效运行,并且具备良好的耐用性和可靠性。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):13A
  导通电阻(Rds(on)):9mΩ
  总功耗(Ptot):80W
  结温范围 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

CR13N50FA9K 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 较高的电流承载能力,支持高达 13A 的连续漏极电流。
  4. 良好的热性能,确保在高功率应用中的稳定运行。
  5. 高可靠性和长寿命,适合工业级和消费级电子设备。
  6. 封装为 TO-220,便于安装和散热处理。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

CR13N50FA9K 广泛应用于多种电子电路中,主要用途包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流和降压/升压转换。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
  由于其优异的性能和可靠性,CR13N50FA9K 成为众多工程师在设计高效率功率转换系统时的首选元件。

替代型号

IRF540N
  STP13NK50Z
  FDP158N
  IXFN14N50P

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