时间：2025/8/2 0:10:41
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CR12N65FA9K是一款由华润微电子（CRMicro）推出的高性能高压功率MOSFET器件，适用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优异的导通特性和开关性能，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
耐压：650V
最大连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
功率耗散：83W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
CR12N65FA9K具有低导通电阻和高开关速度，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其高击穿电压设计使其适用于高压应用场景，同时具备良好的热稳定性和抗过载能力。
该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，CR12N65FA9K的栅极驱动特性优化，能够与多种驱动电路兼容，便于设计和应用。
在可靠性方面，CR12N65FA9K经过严格的测试和验证，具备较高的耐用性和稳定性，适合在工业和汽车电子等高要求环境中使用。
该MOSFET器件广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于LED照明驱动、家用电器控制电路和新能源设备中的功率管理模块。
FQA12N65C、IRF840、STF12N65M5、FDPF12N65AS
