晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　噪声系数（NF）：4 dB（典型值）

CR106812FT 晶体管具有优异的高频性能，其特征频率（fT）可达 100 MHz，使其非常适合用于射频和中频放大电路。该晶体管的噪声系数较低，典型值为 4 dB，这在低噪声放大器设计中至关重要，有助于提高信号的清晰度和系统的整体性能。
　　此外，CR106812FT 采用 SOT-23 小型封装，适合表面贴装工艺，降低了电路板的空间占用，同时提高了生产效率和可靠性。其最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30 V，具备良好的耐压能力，适用于多种低压和中压应用场景。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体取决于器件的分级（例如：hFE 分为不同档位）。这种可变的增益特性使得 CR106812FT 在不同的电路设计中具有较高的灵活性和适应性。
　　CR106812FT 的最大功耗为 300 mW，能够在相对较高的功率水平下稳定运行，适合用于需要一定功率放大的场合。其工作温度范围广泛，最高可达 150°C，确保在高温环境下仍能保持良好的性能。

CR106812FT 广泛应用于射频（RF）和模拟电子电路中，特别是在低噪声放大器（LNA）设计中表现优异。它常用于无线通信系统中的前端信号放大，如 Wi-Fi 模块、蓝牙设备、无线传感器网络等。此外，该晶体管还可用于音频放大器、振荡器、混频器和调制解调器等模拟电路设计。
　　在消费类电子产品中，CR106812FT 被广泛采用于便携式音频设备、小型无线通信模块和传感器接口电路中。其高频特性和低噪声性能也使其成为射频识别（RFID）系统和射频信号处理模块的理想选择。
　　在工业控制和自动化系统中，CR106812FT 可用于模拟信号放大、开关控制和电源管理电路。其紧凑的 SOT-23 封装形式也使其适用于高密度 PCB 设计，满足现代电子产品对小型化和高性能的需求。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A