电容值：3pF
　　额定电压：50V
　　公差：±0.5pF
　　直流偏置特性：低
　　温度系数：NPO（0±30ppm/°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402英寸（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：NPO
　　外形结构：片式多层陶瓷电容器
　　阻抗特性：符合 MIL 标准

CQ0402ARNPO9BN3R0 具有极高的频率稳定性，主要归功于其采用的 NPO 介质材料。这种材料使其在宽温度范围内表现出非常小的电容量变化，温度系数仅为 ±30ppm/°C。此外，由于其小型化设计和高可靠性，该型号非常适合需要紧凑型设计的应用场景。
　　电容器还具备较低的等效串联电阻 (ESR) 和等效串联电感 (ESL)，这有助于减少信号失真并提高高频性能。同时，该型号支持自动化表面贴装生产工艺，提高了装配效率并降低了生产成本。
　　其高精度电容值和较小的公差范围（±0.5pF）也使其成为精密电路的理想选择。在涉及射频和微波电路的设计中，这款电容器可以提供稳定的性能表现。

CQ0402ARNPO9BN3R0 常用于各种高频电子设备中，包括但不限于：
　　1. 射频模块中的滤波与匹配网络
　　2. 高速数字电路中的电源去耦
　　3. 振荡器和时钟电路中的谐振元件
　　4. 无线通信系统中的信号耦合
　　5. 医疗设备和工业控制设备中的信号调理
　　6. 消费类电子产品中的音频和视频信号处理
　　7. 汽车电子系统中的噪声抑制
　　由于其微型化和高稳定性特点，它也非常适合可穿戴设备和其他空间受限的应用场景。

CQ0402BRNPO9BN3R0
　　CQ0603ARNPO9BN3R0
　　GRM152C80J3P0
　　CC0402KRX7D9BN3R0