CQ0201DRNPO8BN7R0 是一种陶瓷芯片电容器,属于 C0G(NP0)介质类型。该型号具有高稳定性和低损耗的特点,广泛应用于高频电路、滤波器以及对稳定性要求较高的场景中。
这种电容器采用多层陶瓷技术制造,具备小体积、高可靠性和优异的温度特性。其外壳为矩形设计,适合表面贴装(SMD),能够满足自动化生产的需求。
电容值:20pF
额定电压:50V
介质材料:C0G (NP0)
尺寸:0402 英寸 (1.0mm x 0.5mm)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
耐湿性等级:符合 IEC 60068-2-6 标准
ESR(等效串联电阻):≤ 10 mΩ
DF(耗散因数):≤ 0.05 % (1MHz)
CQ0201DRNPO8BN7R0 具备以下显著特点:
1. 高稳定性:由于使用了 C0G 介质,其电容值在温度变化、直流偏置和频率范围内几乎保持不变。
2. 小型化设计:0402 尺寸使其非常适合现代电子设备中对空间要求苛刻的应用。
3. 良好的频率特性:即使在高频下,该电容器仍能保持较低的 ESR 和 DF 值,确保出色的性能。
4. 高可靠性:通过严格的生产工艺控制,保证了其在各种恶劣环境下的长期稳定工作。
5. 自动化友好:支持高速贴片机装配,提升了生产效率并降低了成本。
该型号电容器适用于以下领域:
1. RF 和微波电路中的信号耦合与解耦。
2. 滤波器设计,特别是在需要精确频率响应的地方。
3. 高速数字电路中的电源去耦。
4. 振荡器和定时电路中的关键元件。
5. 医疗设备、通信模块及汽车电子等对可靠性要求极高的场合。
CQ0201DNP08BN7R0, GRM1555C1H220JA01D, KEMCAP220X7RF53A220