工作频率范围：DC至500 MHz
　　最大漏极电压（Vds）：500 V
　　最大栅极电压（Vgs）：+10 V至-20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.5 A
　　最大耗散功率（Ptot）：500 W
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　输入和输出阻抗：50 Ω（典型）
　　增益：25 dB（典型）
　　漏极效率：75%（典型）

CPWR-510-01的核心优势在于其卓越的热管理和高功率处理能力。该晶体管采用先进的LDMOS结构，使得其在高电压下依然能够保持低导通电阻，从而降低功耗并提高效率。其陶瓷金属封装不仅提供了优异的热传导性能，还能有效抵抗热膨胀带来的应力影响，确保长期工作的稳定性。
　　在射频性能方面，CPWR-510-01在500 MHz以下的频率范围内表现出极高的线性度和稳定性，适合用于宽带功率放大器设计。其高增益特性减少了前端驱动电路的复杂性，而高达75%的漏极效率则显著降低了散热需求，提升了系统的整体能效。
　　此外，CPWR-510-01具备良好的抗失真能力和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。该器件的栅极保护设计使其在使用过程中具备一定的抗静电和抗过压能力，进一步增强了其在工业和通信应用中的适用性。

CPWR-510-01广泛应用于各种高功率射频系统，包括但不限于：
　　1. 射频功率放大器：用于通信基站、广播发射机和测试设备中的高功率放大。
　　2. 工业加热设备：如射频感应加热系统，用于材料处理和金属加热。
　　3. 医疗设备：用于某些高频治疗设备中的功率输出模块。
　　4. 雷达和测试测量仪器：用于需要高功率射频信号源的测试环境。
　　5. 无线基础设施：用于4G/5G通信系统中的射频放大器模块，尤其是在高功率远距离传输场景中。
　　由于其出色的性能和稳定性，CPWR-510-01也常被用于科研和工程开发中的射频功率模块设计。

CPWR-510-01的替代型号包括CPWR-500-10和NXP的MRF151G等。