时间：2025/9/3 23:11:23
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CPK600PS36 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于超级结（Super Junction）MOSFET系列，具有高效能和低导通损耗的特点。该器件广泛应用于高效率电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和LED照明驱动器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=100℃）
漏极电流脉冲（Idm）：48A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.36Ω（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值42nC
封装形式：TO-220FP
工作温度范围：-55℃至150℃
CPK600PS36 是一款基于超级结技术的MOSFET，其主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高能效。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于多种高电压应用场景。其导通电阻随温度变化较小，具备良好的热稳定性，有助于在高负载条件下保持性能稳定。
此外，CPK600PS36 具备较低的栅极电荷（Qg），可减少开关损耗，提高开关频率下的效率。该器件的封装形式为TO-220FP，具有良好的散热性能和机械强度，适用于工业级工作温度范围（-55℃至150℃），确保在恶劣环境下稳定运行。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。其快速恢复体二极管设计也有助于提升整体转换效率。
CPK600PS36 主要应用于高效率开关电源（SMPS），如适配器、电源供应器和工业电源设备。此外，它也适用于DC-DC转换器、电池充电器、LED照明驱动器以及光伏逆变器等功率转换系统。由于其优异的导通和开关性能，该器件在节能型电源设备中表现出色，尤其适合对效率和散热有较高要求的应用场景。
该MOSFET也常用于电机控制、功率因数校正（PFC）电路以及不间断电源（UPS）系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为中高功率应用中的理想选择。
STP12NM60ND, FQP12N60C, 12N60C, SPW60N60S
