CPH6444-TL-W 时间：2025/8/2 7:27:03 阅读：33

CPH6444-TL-W 是由 Comchip Technology 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于多种功率电子应用，如开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制。CPH6444-TL-W 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，是一款高性能的功率开关器件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.4A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：38mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

CPH6444-TL-W 的主要特性之一是其极低的导通电阻，在 VGS=10V 时仅为 28mΩ，这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，提高了系统的整体效率。此外，该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻为 38mΩ，表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于多种栅极驱动电路。
　　该 MOSFET 具有高达 4.4A 的连续漏极电流能力，能够满足中高功率应用的需求。同时，漏源电压最大额定值为 30V，适用于低压功率转换系统。栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极保护能力，防止过电压损坏。
　　CPH6444-TL-W 采用 SOP-8 封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合用于空间受限的 PCB 设计。其 2.5W 的最大功率耗散能力，结合优良的热阻特性，确保了在较高工作温度下的稳定运行。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出良好的温度适应性和可靠性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。

应用

CPH6444-TL-W 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及马达控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源转换器中表现出色，尤其是在需要低损耗和高可靠性的设计中。
　　在消费类电子产品中，CPH6444-TL-W 可用于电源管理模块、充电器电路以及便携式设备的功率控制部分。在工业自动化和控制系统中，该器件适用于驱动继电器、电磁阀和其他功率负载。此外，由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该 MOSFET 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。