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CPH6354-TL-W 发布时间 时间:2025/8/2 8:21:11 查看 阅读:19

CPH6354-TL-W 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。CPH6354-TL-W 封装为 SOT-23(表面贴装封装),适用于空间受限的高密度 PCB 设计。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5A
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=10V
  栅极电荷(Qg):13nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOT-23
  功率耗散(PD):1.5W

特性

CPH6354-TL-W 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),在 VGS=10V 时仅为 35mΩ,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高电流负载下仍能保持良好的性能,连续漏极电流可达 5A,适用于多种电源管理应用。
  此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,栅极电荷(Qg)仅为 13nC,使得在高频开关应用中(如 DC-DC 转换器和同步整流器)表现出色。SOT-23 封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。
  CPH6354-TL-W 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有出色的热稳定性和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。其 ±20V 的栅源电压容限也提高了器件在高压瞬态条件下的耐用性。

应用

CPH6354-TL-W 适用于多种电源管理和功率控制应用,包括但不限于:
  ? DC-DC 转换器和同步整流器
  ? 负载开关和电源分配系统
  ? 电池供电设备中的高效电源管理
  ? 电机驱动和电源逆变器
  ? 工业控制系统和汽车电子模块

替代型号

Si2302DS、IRLML2502、FDN340P、2N7002K、AO3400A

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CPH6354-TL-W参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)600 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-CPH
  • 封装/外壳SOT-23-6