CPH6354-TL-W 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等应用中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。CPH6354-TL-W 封装为 SOT-23(表面贴装封装),适用于空间受限的高密度 PCB 设计。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A
导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):13nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:SOT-23
功率耗散(PD):1.5W
CPH6354-TL-W 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),在 VGS=10V 时仅为 35mΩ,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高电流负载下仍能保持良好的性能,连续漏极电流可达 5A,适用于多种电源管理应用。
此外,该 MOSFET 具有快速开关能力,栅极电荷(Qg)仅为 13nC,使得在高频开关应用中(如 DC-DC 转换器和同步整流器)表现出色。SOT-23 封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。
CPH6354-TL-W 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有出色的热稳定性和可靠性,适用于工业级和汽车电子应用。其 ±20V 的栅源电压容限也提高了器件在高压瞬态条件下的耐用性。
CPH6354-TL-W 适用于多种电源管理和功率控制应用,包括但不限于:
? DC-DC 转换器和同步整流器
? 负载开关和电源分配系统
? 电池供电设备中的高效电源管理
? 电机驱动和电源逆变器
? 工业控制系统和汽车电子模块
Si2302DS、IRLML2502、FDN340P、2N7002K、AO3400A