CPH6341-TL-W 时间：2025/8/2 8:11:32 阅读：24

CPH6341-TL-W是一款由Comchip Technology生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。CPH6341-TL-W采用SOT-23封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：300mA
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

CPH6341-TL-W采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其1.0V至2.5V的低阈值电压特性，使得该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，适用于多种低电压控制电路，尤其是在使用微控制器或其他低功耗IC进行控制时表现出色。
　　该器件的SOT-23封装设计具有优异的热稳定性和散热能力，能够在较高环境温度下保持稳定工作，同时便于在高密度PCB布局中使用。
　　此外，CPH6341-TL-W具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在短时间的高电压或高电流冲击下保持器件的完整性，提高了系统的稳定性和可靠性。
　　由于其低功耗设计和高集成度，CPH6341-TL-W非常适合用于电池供电设备、便携式电子产品、智能穿戴设备以及各种中小型功率开关电路中。

应用

CPH6341-TL-W广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关控制电路等，适用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源设计方案。
　　在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等，CPH6341-TL-W可作为电源开关或电池保护电路中的关键元件，有效延长设备的续航时间。
　　此外，该MOSFET也常用于工业控制、传感器电源管理、LED驱动电路、电源管理IC外围电路等场景，满足多样化的功率控制需求。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED照明系统、电动工具及各种车载电源转换装置中，提供高效稳定的功率控制解决方案。