类型：NPN双晶体管阵列
　　封装：SOT-23-6
　　集电极-发射极电压(VCEO)：50V
　　集电极-基极电压(VCBO)：50V
　　发射极-基极电压(VEBO)：5V
　　集电极电流(IC)：100mA
　　功率耗散(PD)：300mW
　　直流电流增益(hFE)：100 ~ 400（典型值250）
　　过渡频率(fT)：200MHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　单位增益带宽：200MHz
　　饱和电压-集电极-发射极(VCE(sat))：0.25V @ IC=10mA, IB=1mA
　　饱和电压-基极-发射极(VBE(sat))：0.7V @ IC=10mA, IB=1mA

CPH6316-TL-E具备优异的高频性能，其过渡频率高达200MHz，使其能够在射频前端、高速开关和宽带放大电路中有效工作。这一特性使得该器件不仅适用于传统的音频和信号放大任务，还能胜任更高频率下的数据传输与调制解调需求。由于采用了先进的硅外延平面技术，晶体管的一致性好，噪声水平低，适合用于精密模拟电路设计。
　　两个集成的NPN晶体管在电气参数上高度匹配，这为构建高性能差分放大器提供了理想条件。在运算放大器输入级、平衡调制器或A/D转换器的前端电路中，这种匹配特性有助于减少共模误差，提高系统的线性度和稳定性。同时，器件内部热耦合效应增强了温度跟踪能力，进一步提升了动态工作时的对称性表现。
　　CPH6316-TL-E的SOT-23-6封装具有极小的占位面积，有利于节省PCB空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等追求小型化的产品。尽管体积小巧，但其热阻特性经过优化，可在有限的空间内实现有效的热量散发，从而保障长期运行的可靠性。
　　该器件支持宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外通信设备等严苛应用场景。此外，其最大集电极电流为100mA，足以驱动多数中小功率负载，如LED指示灯、继电器线圈或逻辑门电路。
　　低饱和电压特性减少了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率。配合合理的偏置设计，可以在低电压供电系统（如3.3V或5V）中实现高效的信号切换与放大功能。整体而言，CPH6316-TL-E是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型双NPN晶体管阵列，是现代电子系统中理想的有源元件选择。

CPH6316-TL-E广泛应用于各类需要双NPN晶体管协同工作的电子电路中。在便携式消费类电子产品中，常被用作音频前置放大器或耳机驱动电路中的增益级，凭借其高增益和低噪声特性，能够有效提升音质表现。在无线通信模块中，可用于射频信号的缓冲放大或混频器的本地振荡驱动，其200MHz的过渡频率足以覆盖大多数ISM频段的应用需求。
　　在数字逻辑接口电路中，该器件可作为电平转换器或驱动器使用，将微控制器输出的低电流信号转换为足以驱动外部负载的强信号。例如，在单片机与电机驱动芯片之间加入CPH6316-TL-E可以增强信号完整性并提供一定的电气隔离作用。
　　在电源管理系统中，它可以构成简单的线性稳压电路或用于电池充放电状态指示电路。通过合理配置反馈网络，还能搭建低成本的DC-DC升压或降压拓扑结构，满足特定子系统的供电需求。
　　在工业自动化设备中，CPH6316-TL-E可用于光电传感器信号调理电路，将微弱的光敏三极管输出信号进行放大和整形，进而触发后续的数字控制逻辑。此外，在测试测量仪器中，该器件也常用于构建差分输入级，以抑制共模干扰，提高信噪比。
　　由于其良好的温度稳定性和参数一致性，该器件还适用于精密模拟电路设计，如仪表放大器、有源滤波器和谐波发生器等。总之，无论是在模拟信号处理、数字开关控制还是混合信号系统中，CPH6316-TL-E都能发挥重要作用，是一款极具通用性和实用价值的双晶体管解决方案。

MMBT2907A-7-F
　　FMMT493TA
　　BC846B,215
　　KSC1845YBU