时间：2025/9/20 10:00:20
阅读：5
CPH6313是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面栅极工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种中低压功率应用。CPH6313封装在小型化的SOT-23封装中，具有占位面积小、易于集成到紧凑型PCB设计中的优点，因此特别适合便携式电子设备和空间受限的应用场合。其额定电压为30V，连续漏极电流可达5.4A，能够在较高的环境温度下稳定工作，具备较强的负载驱动能力。此外，该MOSFET还内置了快速体二极管，支持反向电流流通，在感性负载切换时提供必要的续流路径，提升系统可靠性。CPH6313符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，确保其在工业、消费类电子及通信设备中的安全可靠运行。由于其优异的性能与成本平衡，CPH6313已成为许多中小功率开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及LED驱动电路中的首选器件之一。
型号：CPH6313
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.4A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：21A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：500pF @ VDS=15V
输出电容（Coss）：190pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：28ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
CPH6313具备出色的电气特性和热性能，能够在高频率开关条件下保持低功耗和高效率。其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现，尤其在电池供电设备中延长了续航时间。该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常仅为10nC左右，这意味着它可以在较小的驱动电流下实现快速开关，从而减少驱动电路的设计复杂度并降低驱动损耗。同时，CPH6313具有良好的跨导（Transconductance）特性，能够保证在不同负载条件下稳定的电流控制能力。
该MOSFET采用了优化的芯片结构设计，提升了雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其快速开关特性使其适用于高达数百kHz的开关频率应用，如同步整流、半桥/全桥拓扑结构中的主开关元件。此外，CPH6313的SOT-23封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，配合适当的PCB布局可有效传导热量，避免局部过热导致器件失效。
器件还具备良好的抗噪声干扰能力，栅源击穿电压高达±20V，能够在存在电压波动或瞬态干扰的环境中稳定工作。其阈值电压范围适中，确保在逻辑电平信号（如3.3V或5V）下可靠开启，兼容大多数微控制器和驱动IC的输出电平。体二极管的反向恢复时间较短，减少了在感性负载关断过程中产生的电压尖峰，有助于降低电磁干扰（EMI），提高系统EMC性能。
CPH6313广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其是在需要高效、小型化设计的场合。常见应用包括便携式电子产品中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池隔离开关。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或主开关管，用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构，以提高转换效率并减小整体尺寸。
在电机控制领域，CPH6313可用于驱动小型直流电机、步进电机或风扇电机，特别是在玩具、家用电器和办公自动化设备中表现出色。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够胜任频繁启停和调速控制任务。
此外，该器件也适用于LED照明驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现精准的亮度调节和节能控制。在通信模块、传感器供电管理、USB电源开关以及热插拔电路中，CPH6313凭借其低静态功耗和高可靠性，成为理想的功率开关选择。工业控制系统中的继电器替代方案（固态开关）也是其重要应用场景之一。
FDS6670A
